CdS 박막의 기판온도 변화에 따른 전기 및 광학적 특성

박정철; 이우식; 추순남; 조용준; 전용우

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저자정보: 박정철 이우식 추순남 조용준 전용우

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제9호

발행연도: 2009.1

수록면: 792 - 797 (6page)

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In this paper, CdS thin films for the use of window layer in solar cell were fabricated by vacuum evaporation method to improve the reproducibility. The electrical and optical properties of thin films with the variations of substrates temperature and the variations of the film thickness were investigated. As increasing the substrates temperature the resistivities of films were increased. The samples transmissivity were shown over 70% when the wavelength were above 500 nm. In the films with 280 nm thickness, its transmissivity were reached 100%. The resistivities of the samples were decreased as increasing its thickness.

#Window layer #Vacuum evaporator #Resistivity #Optical transmittance spectra

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Ariza-Calderon, H. / 1996 / Photoluminescence measurements in the phase transition region for CdS thin film / J. Vac. Sci. Technol. 14 (4) : 2480 ~

C. Chou / 1994 / The impact of MOCVD growth amgient on carrier transport,defacts,and performance of CdTe/CdS heterojunction solar cell / J. Elec. Mater. 23 : 31 ~

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K. Ramanathan / 2003 / properties of 19.2% efficiency ZnO/CdS/CuInGaSe2 thin-film solar cell / Prog. Photovolt, Res. Appl. 11 : 225 ~

Lepek M. / 1983 / A study of CdS thin film deposition / Thin Solid Films 109 : 103 ~

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