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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제4호
발행연도
2002.1
수록면
332 - 337 (6page)

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The applicability of models based on fractal geometry to characterize the surface of the EL devices was investigated. Insulating layer and phosphor layer of EL devices were deposited on ITO glass using e-beam method. The images of phosphor layer by scanning electron microscope(SEM) were transformed to binary coded data. The relations between fractal geometry and electrical characteristics of EL devices were investigated. When the fractal dimension of CaS:EuF3 EL device was 1.82 and its grain boundary area was 19%, the brightness of CaS:EuF3 EL device was 261 cd/m2.
#Electroluminescent device #CaS:Eu #Binary code #Grain density #Fractal #Fractal dimension #Grain boundary area

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