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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제2호
발행연도
2006.1
수록면
130 - 138 (9page)

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We have investigated pattern scaling down of silicon stamps through the oxidation technique. During oxidizing the silicon stamps, silicon dioxide that has 300 nm and 500 nm thickness was grown, and critical deformations were not observed in the patterns. There was positive effect to reduce size of patterns because vertical and horizontal patterns have different orientation. We achieved pattern reduction rate of 26 %. In addition, the formation of polymer patterns had been investigated with varied temperature and pressure conditions to improve the filling characteristics of polymers during nanoimprint lithography when pattern sizes were few micrometers. In these varied conditions, polymers had been affected by free space compensation and elastic stress relaxation for filling the cavities. Based on the results, defect control which is an important issue in the nanoimprint lithography were facilitated.
#Nanoimprint lithography #Hot embossing lithography #Scaled down stamp #Defect control #Free space compensation #Elastic stress relaxation

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참고문헌 (13)

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/ 1996. / Nanoimprint lithography 14 : 4129 ~ google schola / 1997. / Nano-compact disks with 400 Gbit/in2 storage density fabricated using nanoimprint lithography and read with proximal probe 71 : 3174 ~ google schola / 1997. / Sub-10 nm imprint lithography and applications 15 : 2897 ~ google schola / 2000. / Flow beha- viour of thin polymer films used for hot embossing lithography 54 : 229 ~ google schola / 2000. / Hot embossing as a method for the fabrication of polymer high aspect ratio structures 83 : 130 ~ google schola

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