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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 1,085 - 1,091 (7page)
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The microstructure, electrical properties, and its stability of (Pr, Co, Cr, La)-doped ZnO varistors were investigated at different sintering temperatures in the range of 1230～1300℃. As the sintering temperature increased, the sintered density increased from 5.50 to 5.77g/cm3, the varistor voltage decreased from 777.9 to 108.0 V/mm, the nonlinear coefficient decreased from 77.0 to 7.1, and the leakage current increased from 0.4 μA to 50.6 μA. On the other hand, the donor concentration increased from 0.90×1018 to 2.59×1018/cm3 and the barrier height decreased from 1.89 to 0.69 eV with increasing temperature. The stability of nonlinear electrical properties was obtained from sintering temperature of 1260℃. The varistors sintered at 1260℃ marked the high electrical stability, with %△V1mA=+1.9%, %△α= -10.6%, and %△IL=+20% for DC accelerated aging stress state of 0.95V1mA/150℃/24h.
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/ 1972. / Lineal inter- cept technique for measuring grain size in two-phase polycrystalline ceramics 55 (97-12) : 109 ~
/ 1979. / Capacitance-vs-voltage characteristics of ZnO Varistors 50 (6) : 4475 ~
/ 1985. / A grain-boundary defect model for instability/ stability of a ZnO varistor 20 : 3487 ~
/ 1986. / Zinc oxide varistor-A review 65 (4) : 639 ~
/ 1988. / Development of adanced arresters for GIS with new zinc-oxide elements 3 (2) : 591 ~
/ 1979. / Capacitance-vs-voltage characteristics of ZnO Varistors 50 (6) : 4475 ~
/ 1985. / A grain-boundary defect model for instability/ stability of a ZnO varistor 20 : 3487 ~
/ 1986. / Zinc oxide varistor-A review 65 (4) : 639 ~
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