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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제5호
발행연도
2005.1
수록면
439 - 444 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2005

Pt/Bi3.25La0.75Ti3O12/ZrO2/Si (MFIS)-FET 구조를 위한ZrO2 Buffer Layer의 영향
김경태 ,  김창일 전기전자재료학회논문지 2005.01 학술저널

2004

Structural and electrical properties of MFISFET using a Pt/Bi3.25La0.75Ti₃O₁₂/CeO₂/Si structure
김경태 ,  김창일 ,  이철인 외 1명 대한전기학회 학술대회 논문집 2004.11 학술대회자료

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We investigated the structural and electrical properties of BLT films grown on Si covered with ZrO2 buffer layer. The BLT thin film and ZrO2 buffer layer were fabricated using a metalorganic decomposition method. The electrical properties of the MFIS structure were investigated by varying thickness of the ZrO2 layer. AES and TEM show no interdiffusion and reaction that suppressed using the ZrO2 film as a buffer layer. The width of the memory window in the C-V curves for the MFIS structure decreased with increasing thickness of the ZrO2 layer. It is considered that the memory window width of MFIS is not affected by remanent polarization. Leakage current density decreased by about four orders of magnitude after using ZrO2 buffer layer. The results show that the ZrO2 buffer layers are prospective candidates for applications in MFIS-FET memory devices.
#MFIS 전계효과 트랜지스터 #MFIS-FET #BLT #ZrO2 #Ferroelectric #Non-volatile memory device

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참고문헌 (13)

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/ 1989. / Ferro- electric memories 246 (4936) : 1400 ~ google schola / 1996. / Electrical characteristics of Pt-bismuth strontium tantalate -P-Si with zirconium oxide buffer layer 14 : 247 ~ google schola / 1997. / Growth and characterization of ferroelectric Pb O3 films on interfaZr- controlled ZrO2 36 : 6500 ~ google schola / 1997. / Memory window of Pt/SrBi2Ta2O9/ZrO2/Si structure for metal ferroelectric insulator semi- conductor field effect transistor 71 (24) : 3507 ~ google schola / 1998. / MOD 법에 의한 강유전성 SrxBiyTa2O9+α 박막의 제조 및 후 열처리 효과에 관한 연구 11 (3) : 229 ~ google schola

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