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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 1,332 - 1,336 (5page)
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Amorphous carbon (a-C) films have been deposited on Si(100) substrate using RF magnetron system in order to investigate the electron field emission properties. The a-C films were treated by N2 gas plasma at room temperature. Surface morphologices and structural properties of the a-C films before and after N2 plasma treatment were observed by scanning electron microscopy and Raman spectroscope, respectively. Structural properties and surface morphology of the a-C films were changed by N2 plasma treatment. The emission properties can be improved by the plasma treatment according to the contents of nitrogen on the a-C films which is varied by plasma treatment time. Before the plasma treatment, the a-C films are found to have a threshold field of 14 V/μm , but the a-C film treated by N2 plasma for 30 min exhibit threshold field as low as 6.5 V/μm.
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/ / Field Electron Emission from Amor- phous Carbon Thin Films Grown by RF Magnetron Sputtering
/ 1984. / Using of raman scattering to investigate disorder and crystallite forma- tion in as-deposition and annealed carbon films b29 (6) : 3482 ~
/ 1989. / Symmetry breaking in nitrogen-doped amorphous carbon Infrared observation of the raman- active G and D bands b39 : 13053 ~
/ 1992. / Polycrystalline diamond field-effect transistors 1. (2-4) : 89 ~
/ 1993. / High frequency band-pass filter using polycrystalline diamond 2 (5-7) : 1197 ~
/ 1984. / Using of raman scattering to investigate disorder and crystallite forma- tion in as-deposition and annealed carbon films b29 (6) : 3482 ~
/ 1989. / Symmetry breaking in nitrogen-doped amorphous carbon Infrared observation of the raman- active G and D bands b39 : 13053 ~
/ 1992. / Polycrystalline diamond field-effect transistors 1. (2-4) : 89 ~
/ 1993. / High frequency band-pass filter using polycrystalline diamond 2 (5-7) : 1197 ~
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