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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제11호
발행연도
2003.1
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HgGa2S4 single crystals were grown by the chemical transport reaction method. The HgGa2S4 single crystal crystallized into a defect chalcopyrite structure (I). The lattice constants of the single crystal were found to be a＝5.635Å and c＝10.473Å. The direct and indirect optical energy gaps were found to be 2.84eV and 2.78eV, respectively. Photoluminescence peaks of HgGa2S4 single crystal were observed at 2.37eV, 2.18eV, and 1.81eV. In the single crystal, the donor level of 0.25eV, the acceptor levels of 0.97eV and 0.41eV were obtained by TSC, PICTS, and absorption measurements. The photoluminescence peaks were analyzed to relate to the indirect conduction band, the donor level, and the acceptor levels.
#HgGa2S4 #Chemical transport reaction method #Defect chalcopyrite structure #Optical energy gaps #Photoluminescence

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