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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 433 - 439 (7page)
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본 연구에서는 다결정 실리콘 게이트전극을 갖는 고온소자와 금속 게이트전극을 갖는 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 채널의 크기에 따라 제조한 후 그 전기적 특성을 비교분석하였다. 분석결과 고온소자의 활성층 실리콘 박막 결정화가 안정적으로 이루어져 높은 on전류, 전자이동도와 낮은 문턱전압을 나타냈다. 그러나 높은 게이트 전압에 의해 형성된 핫 캐리어에 의해 off전류를 증가시켜 on/off전류비를 감소시켰다. 반면에 저온소자는 레이저 어닐링 처리에 의해 형성된 큰 결정입자에도 불구하고 결정결함이 많아 낮은 off전류, 전자이동도와 높은 문턱전압을 나타내었다. 특히 금속 게이트전극으로 인해 핫 캐리어 현상을 감소시킬 수 있어 on/off전류비가 고온소자보다 높게 나타났다. 또한 전달특성곡선을 결정하는 요소로 활성층 실리콘의 결정화는 기울기를 결정하며, 소자의 크기는 전달특성곡선의 진폭을 결정하는 요소로 확인할 수 있었다.
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