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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 491 - 496 (6page)
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유리 가판상에 Al-doped ZnO film이 4-step process (DEZ-H2O-TMA-H2O)을 이용하여 저온에서 ALD에 의해 증착되었다. TCO 물질용으로 최적의 Film 조건을 찾기 위해서, 우리는 100℃에서 Al 도핑 농도를 증가시킴으로써 Al-doped ZnO Film들을 제작하였다. 결과적으로, 5% 의 Al-doped film이 가장 낮은 비저항(1.057×10^(-2) Ω․cm) 그리고 가장 큰 결정립 크기(38.047 nm)를 드러냈다. 이 후, 5%의 Al-doped film에서의 전기적인 그리고 물리적인 특성 또한 증가하는 증착 온도에 따라서 비교 되었다. 모든 film들은 80% 이상의 광투과도를 보였으며, 250℃에서 증착된 film은 더 우수한 비저항 값 (1.057×10^(-2) Ω․cm)을 드러냈다.
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