MOCVD를 이용한 BiSbTe3 박막성장 및 열전소자 제작

고려대학교; 윤석진; 주병권; 김진상

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자료유형: 학술저널

저자정보: 고려대학교 윤석진 주병권 김진상

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제5호

발행연도: 2009.1

수록면: 443 - 447 (5page)

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Bismuth-antimony-telluride based thermoelectric thin film materials were prepared by metal organic vapor phase deposition using trimethylbismuth, triethylantimony and diisopropyltelluride as metal organic sources. A planar type thermoelectric device has been fabricated using p-type Bi0.4Sb1.6Te3 and n-type Bi2Te3 thin films. Firstly, the p-type thermoelectric element was patterned after growth of 5 ㎛ thickness of Bi0.4Sb1.6Te3 layer. Again n-type Bi2Te3 film was grown onto the patterned p-type thermoelectric film and n-type strips are formed by using selective chemical etchant for Bi2Te3. The top electrical connector was formed by thermally deposited metal film. The generator consists of 20 pairs of p- and n-type legs. We demonstrate complex structures of different conduction types of thermoelectric element on same substrate by two separate runs of MOCVD with etch-stop layer and selective etchant for n-type thermoelectric material. Device performance was evaluated on a number of thermoelectric devices. To demonstrate power generation, one side of the device was heated by heating block and the voltage output was measured. The highest estimated power of 1.3 ㎛ is obtained at the temperature difference of 45 K.

#Thin film #Thermoelectric #MOCVD #Bismuth-antimony-telluride

참고문헌 (6)

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C. Shafai / 1997 / Optimization of Bi2Te3 thin films for microintegrated Peltier heat pumps / J. Vac. Sci. Technol. 15 : 2798 ~

G. J. Snyder / 2003 / Thermoelectric microdevice fabricated by a MEMS-like electrochemical process / Nature Materials 2 : 528 ~

H. B¨ottner / 2004 / New thermoelectric components using microsystem technologies / J. Nurnus, G. Plescher, J. Microelectromech. Syst. 13 : 414 ~

H. Zou / 2001 / Growth of p-and n-type bismuth telluride thin films by co-evaporation / J. Crystal Growth 222 : 82 ~

J.-H. Kim / 2006 / MOVPE of BiSbTe3 films on(001)GaAs Vicinal Substrates / Journal of Applied Physics 100 : 123501 ~

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