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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 390 - 396 (7page)
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The present research was focused to investigate the quality of non-polar SiC substrates grown by a conventional PVT method for optoelectronic applications. The half part of the PVT-grown 6H-SiC crystal boules was sliced along a-direction and m-direction to extensively analyze non-polar planes and then remaining part of that was sliced along the basal plane to produce wafers. The non-polar SiC m-plane and a-plane exhibited apparent peaks around 2 theta=120°((3-300) plane) and 2 theta=60° ((11-20) plane), respectively. FWHM values of m-plane measured along a-direction and c-direction were 60 arcsec and 57 arcsec respectively, a-plane measured along m-direction and c-direction were 41 arcsec and 51 arcsec respectively. The typical absorption spectra of SiC crystals indicated that each of SiC crystals were the 6H-SiC with fundamental absorption energy of about 3.04 eV. Non-polar planes contained no micropipe on etched surface. The carrier concentration and mobility of non-polar SiC wafers have estimated by Raman spectrum. It was observed that the carrier mobility is low in the area far from seed crystal with compared to other places.
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B. Rau / 2000 / In-plane polarization anisotropy of the spontaneous emission of m-plane GaN/(Al,Ga)N quantum wells / Appl. Phys. Lett. 77 : 3343 ~
D. Olego / 1981 / Raman scattering by coupled LO-phonon-plasmon modes and forbidden TO-phonon Raman scattering in heavily doped p-type GaAs / Phy. Rev. 24 (12) : 7217 ~
H. Harima / 1995 / Raman scattering from anisotropic LO-phonon-plasmon-coupled mode in n-type 4H-and 6H-SiC / J. Appl. Phys. 78 (3) : 1996 ~
H. Yano / 2000 / High channel mobility in inversion layer of SiC MOSFETs for power switching transistors / Jpn. J. Appl. Phys. 39 : 2008 ~
J. Takahashi / 1994 / Sublimation growth of SiC single crystalline ingots on faces perpendicular to the(0001)basal plane / J. Crystal Growth. 135 : 61 ~
D. Olego / 1981 / Raman scattering by coupled LO-phonon-plasmon modes and forbidden TO-phonon Raman scattering in heavily doped p-type GaAs / Phy. Rev. 24 (12) : 7217 ~
H. Harima / 1995 / Raman scattering from anisotropic LO-phonon-plasmon-coupled mode in n-type 4H-and 6H-SiC / J. Appl. Phys. 78 (3) : 1996 ~
H. Yano / 2000 / High channel mobility in inversion layer of SiC MOSFETs for power switching transistors / Jpn. J. Appl. Phys. 39 : 2008 ~
J. Takahashi / 1994 / Sublimation growth of SiC single crystalline ingots on faces perpendicular to the(0001)basal plane / J. Crystal Growth. 135 : 61 ~
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