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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 280 - 284 (5page)
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실리콘 카바이드 기반 가스센서는 실리콘에 비하여 훨씬 고온에서 동작이 가능한 장점으로 주목을 받고 있다. 특히 촉매 금속-반도체 접합구조의 Schottky diode 구조는 환원성과 산화성 분위기 간의 변화에 빠르게 반응하는 구조이다. 그러므로 이 구조를 SiC에 적용한 다이오드는 고온 가스센서로의 응용이 가능하다. 본 논문에서는 4H-SiC구조에 있어서, 촉매작용 표면의 반응성의 영향을 375K에서 775K사이의 온도에서 다루었고 관련된 시뮬레이션을 수행하였다.
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