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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제24권 제4호
발행연도
2011.1
수록면
261 - 265 (5page)

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본 논문은 field plate edge termination를 갖는 Au/Ni/Ti/3C-SiC 쇼터키 다이오드의 제작과 특성에 관한 것으로 실온에서 800℃까지 30분간 쇼트키 접촉용 열처리를 수행했으며 600℃에서 비균일성 쇼터키 장벽과 가장 우수한 전기적 특성을 보였다. 그러나, 800℃ 이상 열처리할 경우에 다양한 Ni 실리사이드 형성으로 인하여 옴익 접촉이 나타냈다. 제작한 쇼터키 다이오드의 항복전압과 쇼터키 장벽 높이는 각각 200 V와 1.19 eV였으며 200℃까지 정상적으로 동작한다.
#3C-SiC #Shottky barrier diode #Metal #Ni #Ti) silicide #Field plate edge termination.

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참고문헌 (13)

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D. C. Sheridan / 2001 / on Power Semi. Dev.& ICs / 2001 Int. Symp google schola F. Roccaforte / 2004 / / J. Appl. phys 96 : 4313 ~ google schola F. Touati / 1999 / / IEEE Trans. Elec. Dev 46 : 444 ~ google schola H. S. MS / 1998 / / 석사 / Dongguk University, google schola J. B. Casady / 1996 / / Solid-State Electron 39 : 1409 ~ google schola

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