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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 29 - 34 (6page)
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In this paper, we investigated electrical and physical characteristics of nickel silicide using rare-earth metals(Er, Yb, Tb, Dy). Incorporated Ytterbium into Ni-silicide is proposed to reduce work function of Ni-silicide for nickel silicided schottky barrier diode (Ni-silicided SBD). Nickel silicide makes ohmic-contact or low schottky barrier height with p-type silicon because of similar work function (ΦM) in comparison with p-type silicon. However, high schottky barrier height is formed between Ni-silicide and p-type substrate by depositing thin ytterbium layer prior to Ni deposition. Even though the ytterbium is deposited below nickel, ternary phase YbxN1-xiSi is formed at the top and inner region of Ni-silicide, which is believed to result in reduction of work function about 0.15 - 0.38 eV.
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A. Yagishita / 1999 / Reduction of threshold voltage deviation in Damascene metal gate MOSFETs / Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet : 257 ~
B. Cheng / 2001 / Metal gates for advanced sub-80 nm SOI CMOS technology / Proc. IEEE Int. SOI Conf : 9192 ~
C. Lavoie / 2003 / Towards implementation of a nickel silicide process for CMOS technologies / Microelectron. Eng 70 : 144 ~
C.C. Hobbs / 2004 / Fermi-level pinning at the polysilicon/ metal oxide interface-Part / IEEE Trans. Electron Devices 51 : 971 ~
H.C. Wen / 2005 / Investigation of dopant effects in CoSi2 and NiSi fully silicided metal gates / Electrochem. Solid-State Lett 8 : G119 ~
B. Cheng / 2001 / Metal gates for advanced sub-80 nm SOI CMOS technology / Proc. IEEE Int. SOI Conf : 9192 ~
C. Lavoie / 2003 / Towards implementation of a nickel silicide process for CMOS technologies / Microelectron. Eng 70 : 144 ~
C.C. Hobbs / 2004 / Fermi-level pinning at the polysilicon/ metal oxide interface-Part / IEEE Trans. Electron Devices 51 : 971 ~
H.C. Wen / 2005 / Investigation of dopant effects in CoSi2 and NiSi fully silicided metal gates / Electrochem. Solid-State Lett 8 : G119 ~
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