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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제26권 제5호
발행연도
2013.1
수록면
385 - 390 (6page)

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본 실험에서는 대향 타겟식 스퍼터링(facing target sputtering) 방법을 사용하여 Ga가 도핑된 ZnO (GZO), , x=3, 5, 7, 9, 박막들을 100 nm에서 500 nm 유리(soda lime glass) 기판 위에 제작되었다. 이들 박막들의 전기적 및 광학적 성질들이 Ga 도핑 량의 함수로 조사되었으며, x= 7wt.% 일 때 가장 우수한 전기 전도성을 나타내었다. 이 박막의 비저항은 임이 확인되었을 뿐 만 아니라 광투과도 또한 가시광 영역에서 평균 83% 이상의 우수한 광학적 특성을 갖는 것도 확인되었다. 특히, Ga가 7wt.% 도핑된 GZO 박막은 박막 증착 시 기판 온도가 증가함에 따라 비저항이 크게 개선되는 것이 확인되었으며, 3000C의 기판 온도에서 제작된 박막에서 의 가장 우수한 비저항을 얻을 수 있었으며, 이는 거의 ITO와 IZO에 비교될 수 있는 수준임이 확인되었다. 이와 같은 GZO 박막들의 비저항이 기판온도에 따라 현저하게 감소하는 것은 기판온돠 증가함에 따라 TZO 박막의 결정립 크기가 증가할 뿐만 아니라 박막 밀도 또한 증가함으로써 TZO 박막의 이동도가 증가했기 때문인 것으로 설명되었다.
#Ga2O3 #ZnO thin film #Facing target sputtering #Electrical and optical properties #Resistivity #Hall effect #Substrate temperature

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