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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제26권 제10호
발행연도
2013.1
수록면
713 - 719 (7page)

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600 V급 Planar Gate Power MOSFET와 Trench Gate Power MOSFET을 설계하고 최대 항복전압 및 최저 스위치 온 상태 전압강하를 갖도록 최적화하였다. Chip Size 6,580 um x 5,680 um에 20 A 흐르는 소자를 설계했을 때 두 소자 모두 610 V의 항복전압 특성을 나타내는 상태에서 저항값의 차이가 남을 확인할 수 있었으며, Trench Gate Power MOSFET은 Planar Gate Power MOSFET과 달리 JFET영역이 존재하지 않아 저항 값이 상대적으로 작다. 설계 과정에서 확인한 Trench Gate Power MOSFET의 스위치 온 상태 전압 강하 특성 향상의 폭은 4.35 V에서 3.7 V로 대략 15%였다. 동시에 Trench Gate Power MOSFET에 적용하기 위해 Unified 필드링을 설계하였으며, JTE Type으로 기존의 FLR을 Unify하게 줄여 기존 Ring 도핑을 저농도(P/1e12) P-Well 접합에 의한 Electrical Field 확산으로 인한 내압 증가로 에피의 비저항 및 두께를 줄일 수 있으며 결과적으로 Chip Shink 효과를 가져 올 수 있었다.
#Power device #Breakdown voltage #Deep trench #Unified technology #Low on resistance

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참고문헌 (7)

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E. G. Kang / 2002 / / J. KIEEME 15 : 758 ~ google schola Gates / 2001 / Introduction to Electronics 4/E Hardcover / Delmar google schola H. S. Lee / 2006 / / KIEE : 7 ~ google schola Malvino, A. Paul, Bates / 2006 / Electronic Principles / McGraw-Hill College google schola W. H. Hayt, Jr. / 2005 / Engineer Ingelect Romagnetics-7/E / Mc Grawhill google schola

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