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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.1
- 수록면
- 720 - 725 (6page)
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본 논문에서는 500 V급 unified trench gate power MOSFET을 제작하기 위한 trench 공정, unified field limit ring 공정 및 일괄공정 후 제작된 시제품에 대해서 전기적인 특성 분석을 하였다. 소자를 제작하기 위해 가장 중요한 공정인 trench 공정에 있어서 과제의 목표 구조를 구현하기 위한 최적의 Base Chemistry는 SF6 base임을 알 수 있었다. 또한 SEM을 통해 trench gate와 field limit ring에 대한 공정이 우수하게 이루어졌음을 알 수 있었다. 소자제작이 완료된 후, planar형의 소자와 전기적인 특성을 비교 분석하였으며, 그 결과 두 소자 모두 다 항복전압은 500 V를 유지하고 있었으나, Vth와 온 전압 강하 특성은 planar형 보다 우수한 특성을 보이고 있다는 것을 알 수 있었다.
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