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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제26권 제11호
발행연도
2013.1
수록면
826 - 830 (5page)

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본 연구에서는 유도 결합 플라즈마 식각 장비를 사용하여 SnO2 박막의 식각 특성과 공정에 대하여 연구하였다. O2/BCl3/Ar의 식각 가스 혼합비를 변화시켜 SnO2 박막의 식각 실험을 진행하였다. 기본 공정 조건은 700 W의 RF 전력, - 150 V의 직류 바이어스 전압, 2 Pa의 공정 압력으로 고정하였다. 실험 결과 O2/BCl3/Ar=(3:4:16 sccm) 플라즈마에서 최대 식각 속도인 509.9 nm/min을 얻었다. XPS 분석을 통하여 O2/BCl3/Ar 플라즈마에서의 SnO2 박막의 식각 메커니즘을 알아보았다. 또한 식각 후 박막의 표면 상태와 단면 현상은 각각 AFM과 FE-SEM을 통하여 알아보았다.

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