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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.1
- 수록면
- 472 - 476 (5page)
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우리는 Mg0.1Zn0.9O/ZnO 활성층 구조의 박막트랜지스터의 특성을 조사하였다. ZnO와 Mg0.1Zn0.9O 박막은 RF co-sputter 장비를 이용하여 열 산화된 실리콘 기판위에 증착이 되었다. 활성층의 총 두께는 50 nm이다. 우선, ZnO 박막을 5 ~ 30 nm까지 두께를 조절하여 증착을 하였다. 이어서 Mg0.1Zn0.9O 박막을 45 ~ 20 nm까지 변화시켜 증착하였다. 이중 활성층 TFT 소자는 단일 활성층 TFT 소자보다 향상된 특성을 보였다. ZnO 두께가 10 nm일 때 Mg0.1Zn0.9O/ZnO TFT 소자의 전계이동도는 7.40 cm2V-1s-1이고 subthreshold slope은 0.24 V/decade를 가졌다.
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