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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.1
- 수록면
- 98 - 103 (6page)
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본 연구는 Ni 전극이 인쇄된 알루미나 기판 및 조성이 (Ba0.998Ce0.002)TiO3 + 0.001MnCO3 + 0.05BN인 적층 PTC 써미스터를 후막 공정으로 제조하고, 이들의 비저항 및 저항 점프 특성에 대한 재산화 온도의 영향을 조사하였다. 각각의 샘플은 먼저 1,150℃의 PO2= 10∼11의 환원분위기에서 환원소성한 후에 600-850℃ 사이에서 재산화하였다. 재산화 온도가 증가함에 따라 상온 비저항은 증가하였고, 저항 점프 특성(LogR290/R25)은 감소하였으며 이는 Ni전극의 산화와 관련이 있는 것 같다. 2,012와 3,216 크기의 작은 칩 PTC는 비선형의 정류 I-V 특성 거동을 보이는 반면에 4,532와 6,532 크기의 큰 칩 PTC는 선형의 ohmic I-V 특성을 보인다. 또한, 2,012와 3,216칩은 재산화 온도에 민감하며, 4,532와 6,532칩에 보다 쉽게 산화되는 경향을 보인다. 따라서, 칩 PTC 써미스터의 재산화 조건은 칩 크기를 고려해서 결정되어야 할 것이다.
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