메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제13권 제2호
발행연도
2012.1
수록면
73 - 77 (5page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색

초록· 키워드

오류제보하기
Operation of liquid crystal displays (LCDs) can be improved by monolithic integration of the pixel transistors with light emitting diodes (LEDs) on a single substrate. Conventional LCDs make use of filters to control the backlighting which reduces the overall efficiency. These LCDs also utilize LEDs in series which impose failure and they require high voltage for operation with a power factor correction. The screen of small hand-held devices can operate from moderate brightness. Therefore, III-V nanowires that are grown along with transistors over Silicon substrates can be utilized. Control of nanowire LEDs with nanowire transistors will significantly lower the cost, increase the efficiency, improve the manufacturing yield and simplify the structure of the small displays that are used in portable devices. The steps to grow nanowires on Silicon substrates are described. The vertical n-type and p-type nanowire transistors with surrounding gate structures are characterized. While biased at 0.5 V, nanowire transistors with minimum radius or channel width have an OFF current which is less than 1pA, an ON current more than 1 μA, a total delay less than 10 ps and a transconductance gain of more than 10 μA/V. The low power and fast switching characteristics of the nanowire transistor make them an ideal choice for the realization of future displays of portable devices with long battery lifetime.
#Silicon #Nanowire #Light emitting diode #Transistor

목차

등록된 정보가 없습니다.

참고문헌 (13)

참고문헌 신청
A. Bindal / 2007 / An Exploratory Study on PowerEfficient Silicon NanoWire Dynamic NMOSFET/PMESFETLogic / IEE Proceedings in Science, Measurement and Technology 1 : 121 ~ 13 google schola E.P.A.M. Bakkers / 2004 / Epitaxial growth of InP nanowires on germanium / Journal of Nature Materials 3 : 769 ~ 773 google schola I.H. Oh / 2006 / A single-stage power converter for a large screen LCDback-lighting / Applied Power Electronics Conference and Exposition : 1058 ~ 1063 google schola J.-H. Lee / 2009 / Design ofparallel backlight LED driver IC / International Conferenceon ASIC 8 : 1125 ~ 1128 google schola L.-E. Wernersson / 2010 / IIIVNanowires-Extending a Narrowing Road / Proceedings ofthe IEEE 98 : 2047 ~ 2060 google schola

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0