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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제2호
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 66 - 70 (5page)
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The Sr0.7Bi2.3Ta2O9(SBT)thin films are deposited on Pt-coated electrode (Pt/TiO2/SiO2 /Si) using a RF magnetron sputtering method. The ferroelectric properties of SBT capacitors with annealing times were studied. As a result of conducting the X-ray diffraction analysis and the electron microscopy analysis, the perovskite phase began to grow from 10 minutes after annealing the specimen, and excellent crystallization was accomplished at 60 minutes after annealing the specimen. The remanet polarization (2Pr) value and the coercive electric field (Ec) of the SBT thin film specimen showed the most excellent characteristics at 60 minutes after annealing the specimen, which were approximately 12.40 C/cm2 and 30 kV/cm, respectively. The leakage current density of the SBT thin film specimen as annealed for 60 minutes was approximately 2.81×10-9 A/cm2.
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참고문헌 (11)
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/ 1994. / Fabrication and characteristics of PZT ferroelectric thin films by sol-gel processing and rapid thermal annealing J. of KIEEME 13 : 369 ~
/ 1997. / Phase formation and characterization of the SrBi2Ta2O9 layered-perovskite ferroeelctric 14 : 201 ~
/ 1998. / Effects of H2 shintering and Pt Upper Electrode on Metallic Bi Content in SrBi2Ta2O9 Thin films for Ferroelectric Memories Prepared by Sol -Gel Method 37 (9b) : 519
/ 1998. / Low-temperature synthesis of Sr Bi2Ta2O9 ferroelectric thin films through the complex alkoxide method effects of functional group 37 (9b) : 5178 ~
/ 1998. / and In Hoon Choi Effects of morphological changes of Pt/SrBi2Ta2O9 interface on the electrical properties of ferroelectric capacitor 37 : 5189 ~
/ 1997. / Phase formation and characterization of the SrBi2Ta2O9 layered-perovskite ferroeelctric 14 : 201 ~
/ 1998. / Effects of H2 shintering and Pt Upper Electrode on Metallic Bi Content in SrBi2Ta2O9 Thin films for Ferroelectric Memories Prepared by Sol -Gel Method 37 (9b) : 519
/ 1998. / Low-temperature synthesis of Sr Bi2Ta2O9 ferroelectric thin films through the complex alkoxide method effects of functional group 37 (9b) : 5178 ~
/ 1998. / and In Hoon Choi Effects of morphological changes of Pt/SrBi2Ta2O9 interface on the electrical properties of ferroelectric capacitor 37 : 5189 ~
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