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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제13권 제1호
발행연도
2012.1
수록면
6 - 9 (4page)

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In this study, we carried out an investigation of the etching characteristics (etch rate, selectivity to SiO2) of ZnO thin films in N2/Cl2/Ar inductivity coupled plasma. A maximum etch rate and selectivity of 108.8 nm/min and,3.21, respectively, was obtained for ZnO thin film at a N2/Cl2/Ar gas mixing ratio of 15:16:4 sccm. The plasmas were characterized by optical emission spectroscopy. The x-ray photoelectron spectroscopy analysis showed the efficient destruction of oxide bonds by ion bombardment. An accumulation of low volatile reaction products on the etched surface was also shown. Based on this data, an ion-assisted chemical reaction is proposed as the main etch mechanism for plasmas containing Cl2.
#ZnO #ICP #OES #XPS #Cl2

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D. C. Look / 1998 / / Solid State Commun 105 : 399 ~ google schola D. C. Look / 2001 / / Mater. Sci. Eng. B 80 : 383 ~ google schola F. Zong / 2004 / / Solid State Commun 132 : 521 ~ google schola J. C. Woo / 2008 / / Surf. Coat. Technol. 202 : 5705 ~ google schola J. C. Woo / 2010 / / Thin Solid Films 2905 : 518 ~ google schola

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