비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 광특성 분석을 위한 백라이트의 광자 에너지 스펙트럼에 대한 연구

정경서; 권상직; 조의식

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정경서 권상직 조의식

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제12호

발행연도: 2009.1

수록면: 1,058 - 1,062 (5page)

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For the investigation of the mechanism of photoelectric characteristics of a hydrogenated amorphous silicon thin film transistor(a-Si:H TFT), spectral characteristics of various backlights were analyzed in terms of the photon energy at each wavelength. Photon energy spectral characteristics were obtained through the multiplication of each photon energy and spectral intensities of backlights at each wavelength and the total photon energies were obtained by the integration of the photon energy spectrums. From the comparison of the experimental photo leakage current and the calculated photon energy, it was possible to conclude that the absorption of illuminated backlight to a-Si:H layer and the generation of electrons and holes are mainly carried out at the wavelength less than 500 nm as described in previous reports.

#a-Si:H TFT #Backlight #Photon energy spectral characteristics #Absorption coefficient

참고문헌 (9)

참고문헌 신청

C. Y. Liang / 2006 / A novel self-aligned etch-stopper structure with lower photo leakage for AMLCD and sensot applications / IEEE EDL. 27 (12) : 978 ~

J. H. Choi / 1998 / A novel thin film transistor using double amorphous silicon active layer / IEEE ED 45 (9) : 2074 ~

J. Melskens / 2008 / Analysis of hydrogenated amorphous silicon thin films and solar cells by means of fourier transform photocurrent spectroscopy / Thin Solid Film 516 : 687

N. Yoshida / 2008 / A study of absorption coefficient spectra in a-Si:H films near the transition from amorphous to crystalline phase measured by resonant photothermal bendin

S. H. Im / 2009 / Photoelectric Effects on the Photocurrent of an a-Si:H Thin Film Transistor due to the Spectral Properties of Backlight Sources / Journal of the Korean Phys

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