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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 713 - 717 (5page)
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본 논문에서는 GaN 기반의 Normailly off FET을 구현하기 위해 GaN trench 전력 MOSFET의 구조를 제안하고 최적의 파라미터를 도출하여 계통 연계형 인버터에 사용되는 600 V급의 스위치소자를 설계하였다. 특히 제안한 소자의 게이트 절연막으로 Al2O3를 이용하여 설계하였으며, 최적의 파라미터를 도출하기 위하여 각 구조별 파라미터를 변화시키면서 시뮬레이션을 수행하였다. 수행한 결과 약 620 V의 항복전압과 0.4 mΩcm²의 온 저항 특성을 얻을 수가 있었다. 주지하는 바와 같이 600 V급의 전력 스위치 소자는 전기자동차, 계통연계형 인버터 등 다양한 산업분야에 사용되고 있기 때문에 열특성이 Si보다 월등히 우수한 GaN 기반의 전력 MOSFET 소자의 제안은 그동안 문제점으로 지적되어 온 p 접합을 극복하는 것으로서 제안된 소자는 다양한 분야에서 충분히 활용 가능할 것으로 판단된다.
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