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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.1
- 수록면
- 543 - 551 (9page)
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본 연구에서는 디스플레이소자로써 ZnO를 활용하기 위하여 RF-magnetron sputtering 법을 이용하여 유리기판위에 Al-doped ZnO을 상온에서 적층성장을 시켰다. RF power를 100 W로 고정시켰으며, 가스 비율을 Ar/O2=1/1 비율로 sputtering을 하였다 상온에서 성장된 박막은 일반적으로 비정질 상태인 ZnO 박막이므로 고 순도의 산소분위기에서 급속열처리방법으로 400℃-700℃ 범위에서 열처리를 하였으며, 이런 공정의 변수가 Al/ZnO (AZO) 박막의 결정성, 우선배향성 및 표면형상, 전기적인 특성에 미치는 영향을 분석을 하였다. 급속열처리결과 상온에서 성장한 박막보다 (0002) 결정면이 우월하게 좋은 C-축 우선배향성을 보였다. 본 실험의 결과 500℃ 5분에서 가장 좋은 결과를 나타내었다. 이러한 이유는 고순도의 산소분위기의 열처리에 의한 결정립 (grain)의 재배열을 유도함으로써, 구조적 특성을 향상을 시키고 산소중입으로 산화아연의 박막내의 산소공공(Vacancy)을 줄여줌으로써 투과도 85% 이상, 면저항 50 Ω/ㅁ 이하, 표면거칠기 2 nm 이하의 광학적, 구조적, 전기적으로 우수한 산화아연 투명전극을 제조할 수 있었다.
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