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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제11호
발행연도
2016.1
수록면
720 - 724 (5page)

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n-type 산화물 반도체 MoOx와 p-type 실리콘의 금속 산화물 반도체 이종 접합을 이용하여 고성능의 광전 소자를 제작하였다. 광학적으로 투과도가 높은 MoOx는 입사광을 투과시키면서, 정공 수송 박막으로 역할을 하게 되어, p-n 접합에서의 광반응을 효과적으로 할 수 있다. 본 연구에서는 MoOx를 이용하여 n-type MoOx/p-type Si 형태의 이종 접합 광 검출기를 제작하고 전기 및 광학적 특성을 분석하였다. 산화물-실리콘 이종접합 (MoOx/p-type Si) 소자의 정류비는 1252.3%로 매수 우수한 접합특성을 가진다. 입사광에 대한 파장대별 광반응에 대해 분석하였으며, 고성능의 응답특성 (상승시간: 61.28 ms, 하강시간: 66.26 ms)을 보였다. 이러한 MoOx 투명 산화물 반도체는 태양전지를 비롯한 광전소자 분야에 효과적으로 적용될 수 있을 것으로 예상된다.

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