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- 학술저널
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- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제6권 제6호
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 245 - 248 (4page)
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The physical and electrical properties of polycrystalline β-SiC were studied according to different nitrogen doping concentration. Nitrogen-doped SiC films were deposited by LPCVD(low pressure chemical vapor deposition) at 900 ºC and 2 torr using 100 % H2SiCl2 (35 sccm) and 5 % C2H2 in H2(180 sccm) as the Si and C precursors, and 1 % NH3 in H2(20~100 sccm) as the dopant source gas. The resistivity of SiC films decreased from 1.466 Ω×㎝ with NH3 of 20 sccm to 0.0358 Ω×㎝ with 100 sccm. The surface roughness and crystalline structure of β-SiC did not depend upon the dopant concentration. The average surface roughness for each sample 19-21 ㎚ and the average surface grain size is 165 ㎚. The peaks of SiC(111), SiC(220), SiC(311) and SiC(222) appeared in polycrystalline β-SiC films deposited on Si/SiO2 substrate in XRD(X-ray diffraction) analysis. Resistance of nitrogen-doped SiC films decreased with increasing temperature. The variation of resistance ratio is much bigger in low doping, but the linearity of temperature dependent resistance variation is better in high doping. In case of SiC films deposited with 20 sccm and 100 sccm of 1 % NH3, the average of TCR(temperature coefficient of resistance) is -3456.1 ppm/°C and -1171.5 ppm/°C, respectively.
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/ 1994. / Power semiconductor devices for variable-frequency drives Proceeding of the IEEE 82 : 1112 ~
/ 1996. / Trends in power semiconductor devices 43 : 1717 ~
/ 1998. / Characterization of highly doped n- and p- type 6H-SiC piezoresistors 45 : 785 ~
/ 1998. / High temperature piezoresistive β-SiC-On-SOI pressure sensor with on-chip SiC thermistor : 229 ~
/ 1998. / Silicon carbide MEMS for harsh environ-ments 86 : 1594 ~
/ 1996. / Trends in power semiconductor devices 43 : 1717 ~
/ 1998. / Characterization of highly doped n- and p- type 6H-SiC piezoresistors 45 : 785 ~
/ 1998. / High temperature piezoresistive β-SiC-On-SOI pressure sensor with on-chip SiC thermistor : 229 ~
/ 1998. / Silicon carbide MEMS for harsh environ-ments 86 : 1594 ~
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