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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제5호
발행연도
2004.1
수록면
189 - 193 (5page)

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Pure and Sn or Pt doped α-Fe2O3 thin films were prepared on Al2O3 substrates by RF-magnetron sputtering method and the sensitivities were compared. It was found that pure α-Fe2O3 thin films did not exhibit much selectivity in CO and i-C4H10 gases while it showed the high sensitivity in proportion to the gas concentration of C2H5OH gas. Pt-doped α-Fe2O3 showed to be alike sensing properties as pure α-Fe2O3 thin film in C2H5OH gas. However, Sn-doped α-Fe2O3 thin films exhibited the excellent sensitivity and selectivity in H2 gas. After microstructure modification by plasma etching on pure α-Fe2O3 thin films, the gas sensing characteristics were dramatically changed.

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