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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제6권 제4호
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 173 - 176 (4page)
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A new MoO3 based microsensor with low power consumption was presented. Typical size of sensor was 5 mm in width and 8 mm in length. As a sensitive electrode, MoO3 was successfully fabricated by IC technology on pyrex glass of 250 mm in thickness. After annealing at 550 oC for 3 hrs, the film was fully crystallized and demonstrated as pure MoO3 structure. The grain size of MoO3 was plat like and typical size was about 1mm. Based on the results of sensitivity measurement, MoO3 microsensor shows especially high selectivity to H2 reducing gas atmosphere. The applied heater power was lower than 0.5 Watt.
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/ 1995. / Recent development in semicon-ducting thin film gas sensor b23 : 103 ~
/ 1996. / Sputtered molybdenum oxide thin film for NH3 detection 35/36 : 320 ~
/ 1997. / Charac-terisation of a molybdenum oxide sputterd thin film as a gas sensor 307 : 148 ~
/ 1997. / Electrochronism and photochronism in amorphous molybdenum oxide 302 : 66 ~
/ 1998. / MoO3 based sputtered thin film for fast NO2 detection b48 : 285 ~
/ 1996. / Sputtered molybdenum oxide thin film for NH3 detection 35/36 : 320 ~
/ 1997. / Charac-terisation of a molybdenum oxide sputterd thin film as a gas sensor 307 : 148 ~
/ 1997. / Electrochronism and photochronism in amorphous molybdenum oxide 302 : 66 ~
/ 1998. / MoO3 based sputtered thin film for fast NO2 detection b48 : 285 ~
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