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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 775 - 778 (4page)
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MOVPE로 InP 에피층을 성장함에 있어, phosphorus와 indium을 위한 소스들로 비교적 새로운 tertiarybutylphosphine (TBP)과 ethyldimethylindium (EDMIn)의 조합을 연구하였다. 500-600℃의 낮은 온도에서 21의 낮은 TBP/EDMIn molar ratio로 표면 상태와 결정성이 우수한 InP 에피층을 성장할 수 있었다. 그러나 성장된 InP의 전도형태는 모두 n형으로 (5-10)×10^(16) cm^(-3) 범위의 전자농도를 나타내었는바, 이는 PH₃을 사용하였을 경우에 비하여 상당히 높은 농도이다. 이처럼 높은 전자농도는 TBP 내의 불순물이 도너로 작용하며 그 농도 또한 매우 높기 때문으로 판단된다. 특히 상온에서 혼합가스 내의 EDMIn 분압이 1×10-2 Torr 이상일 경우에는 TBP와 EDMIn 사이에 화학적 반응에 의한 adduct가 형성되는 것으로 밝혀졌다. 따라서 소자를 제작할 정도로 우수한 InP 에피층을 성장함에 있어 TBP와 EDMIn이 각각 PH₃과 TMIn을 대체하기에는 TBP 내의 높은 불순물 농도와 두 소스 간의 adduct 형성이 중요한 장애가 될 것으로 판단된다.
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