Fabrication of Sputtered Gated Silicon Field Emitter  Arrays with Low Gate Leakage Currents by Using Si Dry  Etch

조의식; 권상직

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자료유형: 학술저널

저자정보: 조의식 권상직

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제14권 제1호

발행연도: 2013.1

수록면: 28 - 31 (4page)

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A volcano shaped gated Si-FEA (silicon field emitter array) was simply fabricated using sputtering as a gate electrode deposition and lift-off for the removal of the oxide mask, respectively. Due to the limited step coverage of wellcontrolled sputtering and the high aspect ratio in Si dry etch caused by high RF power, it was possible to obtain Si FEAs with a stable volcano shaped gate structure and to realize the restriction of gate leakage current in field emission characteristics. For 100 tip arrays and 625 tip arrays, gate leakage currents were restricted to less than 1% of the anode current in spite of the volcano-shaped gate structure. It was also possible to keep the emitters stable without any failure between the Si cathode and gate electrode in field emission for a long time.

#Volcano shaped gated Si-FEAs #Sputtering #Dry etch #Low gate leakage current #Field emission

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C. A. Spindt / 1976 / / J. Appl. Phys 47 : 5248 ~

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G. N. A. van Veen / 1995 / / J. Vac. Sci. Technol. B 13 : 478 ~

H. S. Uh / 1998 / / 박사 / the Seoul National University

이 논문의 저자 정보

조의식

소속기관 한국전기전자재료학회

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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권상직

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