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In this paper, two configurations (T-type and Y-type) of dual band Wilkinson Power Divider based upon Hilbert curvesare presented. Formerly, the concept of Hilbert Curves was implemented in only designing microstrip antennas. Inpower dividers, this is the very first attempt of incorporating them for size reduction. In addition to this, an effect ofinculcation of high-dielectric constant layer (Hafnium-oxide, HfO2, εr= 25) between a substrate and top metallizationin both configurations was investigated. The proposed configurations are designed on a high resistive silicon substrate(HRS) for L and S bands with resonating frequencies of 1.575 and 3.4 GHz. Both configurations have return loss that isbetter than 20 dB and an insertion loss of around 6 dB; isolation better than 30 dB was achieved for both models.

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