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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 733 - 737 (5page)
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In this paper, Ni-Co alloy was used to improve thermal stability of Ni Germanide. It was found that uniform germanide is obtained on epitaxial Ge-on-Si substrate by employing Ni-Co alloy. Moreover, neither agglomeration nor penetration is observed during post-germanidation annealing process. The thermal stability of Ni germanide using Ni-Co alloy is improved due to the less agglomeration of Germanide. Therefore, the proposed Ni-Co alloy is promising for highly thermal immune Ni germanide for nano scale Ge-MOSFETs technology.
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J. W. Oh / 2007 / Improved electrical characteristics of Ge-on-Si field-effect transistors with controlled Ge epitaxial layer thickness on Si substrates / Electron Devices Le
K. Chen / 1996 / An accurate semi-empirical saturation drain current model for LDD n-MOSFET" / Electron Devices Lett 17 (3) : 145 ~
K. Park / 2007 / A study on the thermal stabilities of the NiGe and Ni1?-xTaxGe systems / Electrochem. Solid State Lett 154 (7) : H557 ~
N. Wu / 2007 / Characteristics of self-aligned gate-first Ge p- and n- channel MOSFETs using CVD HfO2 gate dielectric and Si surface passivation / IEEE Trans. Electron Device
P. Zimmerman / 2006 / igh performance Ge pMOS devices using a Si-compatible process flow / IEDM Tech. Dig : 1 ~
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N. Wu / 2007 / Characteristics of self-aligned gate-first Ge p- and n- channel MOSFETs using CVD HfO2 gate dielectric and Si surface passivation / IEEE Trans. Electron Device
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