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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 595 - 600 (6page)
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본 논문은 얇은 실리콘 산화막에서 인가전압에 따른 산화막 전류에 대하여 조사하였다. 얇은 실리콘 산화막에서 인가전압의 온 타임 산화막 전류는 스트레스 전압 유기 트랩 분포를 측정하였다. 실리콘 산화막에서 유기되는 스트레스 유기 누설전류는 고스트레스 전압에 발생되는 트랩의 충전과 방전에 기인한다. 스트레스 유기 누설전류는 기억소자에서 데이터 저장에 영향을 미친다. 스트레스 전류와 스트레스 유기 누설전류의 두께 의존성에 대한 산화막 전류는 게이트 면적 10-3 cm2에서 산화막 두께 109 Å, 190 Å, 387 Å, 그리고 818 Å에서 측정하였다. 산화막 전류는 데이터 유지 특성에 영향을 미치고 스트레스 전류, 스트레스 유기 누설전류는 산화막 두께의 한계를 평가하는데 사용된다.
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