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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.1
- 수록면
- 503 - 509 (7page)
이용수
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CIGS 박막 태양전지는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물 반도체로서 직접천이형 에너지 밴드 구조를 가지고 있고, 1 × 10 cm의 높은 흡수계수를 가지고 있으며, Ga, Ag, Al 을 첨가함으로써 밴드갭을 1~2.7 eV 넓은 범위로 조절가능하다. 본 연구의 목적은 Sputtering 방식과 Cracker cell을 이용한 실험으로 보다 효율적인 방식으로 CIGS 전구체 조성별 특성에 따른 구조와 전기적, 광학적 특성의 효과에 대하여 조사하였다. Cu-In-Ga 전구체는 CuGa(80∼20 at.%)과 In(99.99%) target을 사용하여, sputtering 공정으로 증착하였으며, cracker cell이 부착된 RTP(rapid thermal processing)를 통하여 셀렌화 공정을 진행하였다. Reservoir zone 온도는 320도, Cracking zone 온도는 900도로 유지하였으며, 진공상태에서 Se이 공급되면서 열처리가 진행되었다. Cu-In-Ga 전구체 구조에서 In의 증착시간을 변화시켜 CIGS 박막에 미치는 영향에 대해 분석하였다. In 증착시간이 5분일 때 표면구조가 가장 좋은 박막을 얻을 수 있었다. 또한 Selenium이 cracking zone 온도와 열처리 시간에 따라 미치는 영향의 변화를 조사하였다. 이에 따른 CIGS 박막의 전기적 특성의 변화를 조사하였다.
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참고문헌 (15)
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A. M. Gabor / 1994 / / 12th European Photovoltaic Solar Energy Conf : 1 ~
F. B. Dejene / 2005 / / J. Phys. D : Appl. Phys 38 : 22 ~
F. O. Adurodija / 1996 / / Sol. Energ. Mat. Sol. C. : 40 ~
F. O. Adurodija / 1996 / / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 40 : 359 ~
I. Repins / 2008 / / Prog. Photovolt: Res. Appl. : 235 ~
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I. Repins / 2008 / / Prog. Photovolt: Res. Appl. : 235 ~
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