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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제12권 제1호
발행연도
2011.1
수록면
16 - 19 (4page)

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The oxide-nitride-oxide (ONO) deposition process was added to the beginning of a 0.25 μm embedded polysiliconoxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) process before all of the logic well implantation processes in order to maintain the characteristics of basic CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) logic technology. The system subsequently suffered severe ONO rupture failure. The damage was caused by the ONO implantation and was responsible for the ONO rupture failure in the embedded SONOS process. Furthermore, based on the experimental results as well as an implanted ion’s energy loss model, processes primarily producing permanent displacement damages responsible for the ONO rupture failure were investigated for the embedded SONOS process.
#Polysilicon-oxide-nitride-oxide-silicon #Implantation #Non-volatile semiconductor memory devices #EEPROM #Electrically erasable programmable read-only memory) #Threshold voltage

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