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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제12권 제4호
발행연도
2011.1
수록면
169 - 173 (5page)

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In this study, Al-N codoped p-type zinc oxide (ZnO) thin films were deposited on Si and homo-buffer layer templates in a mixture of N_2 and O_2 gas with ceramic ZnO:(2 wt% Al_2O_3) as a sputtering target using DC- magnetron sputtering. X-ray diffraction spectra of two-theta diffraction showed that all films have a predominant (002) peak of ZnO Wurtzite structure. As the N2 fraction in the mixed N_2 and O_2 gases increased, field emission secondary electron microscopy revealed that the surface appearance of codoped films on Si varied from smooth to textured structure. The p-type ZnO thin films showed carrier concentration in the range of 1.5 × 10^(15)-2.93 × 10^(17) cm^(-3), resistivity in the range of 131.2-2.864Ωcm, and mobility in the range of 3.99-31.6 cm^2V^(-1)s^(-1) respectively.
#p-type ZnO film #DC-magnetron sputtering #Al-N codoping #I-V curve

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