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논문 기본 정보

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한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제14권 제4호
발행연도
2013.1
수록면
216 - 220 (5page)

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The etching characteristics of indium zinc oxide (IZO) in Cl2/Ar plasma were investigated, including the etch rate and selectivity of IZO. The IZO etch rate showed non-monotonic behavior with increasing Cl2 fraction in the Cl2/Ar plasma,and with increasing source power, bias power, and process pressure. In the Cl2/Ar (75:25%) gas mixture, a maximum IZO etch rate of 87.6 nm/min and etch selectivity of 1.09 for IZO to SiO2 were obtained. Owing to the relatively low volatility of the by-products formation, ion bombardment was required, in addition to physical sputtering, to obtain high IZO etch rates. The chemical state of the etched surfaces was investigated with X-ray photoelectron spectroscopy. These data suggested that the IZO etch mechanism was ion-enhanced chemical etching.

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