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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제6호
발행연도
2002.1
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Vacuum evaporated cadmium sulphide (CdS) thin films were implanted with Ar+ and N+ for different doses. The properties of the ion implanted CdS thin films have been analysed using XRD, optical transmittance spectra, and Raman scattering studies. Formation of Cd metallic clusters were observed in ion implanted films. The band gap of Ar+ doped films decreased from 2.385 eV of the undoped film to 2.28 eV for the maximum doping. In the case of N+ doped film the band gap decreased from 2.385 to 2.301 eV, whereas the absorption coefficient values increased with the increase of implantation dose. On implantation of both types of ions, the Raman peak position appeared at 299 cm-1 and the FWHM changed with the ion dose.
#Cadmium sulphide #CdS) #Ion implantation #Solar cells #Raman scattering

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