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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 490 - 495 (6page)
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본 논문에서는 1차 전력 변환, 전기자동차 및 고속열차에서 스위칭 소자로 활용할 수 있는 3,000 V급 이상의 NPT IGBT 소자의 이론적 고찰 및 최적 설계 방안을 제시하였다. 이론적 설계를 바탕으로 항복전압 3,000 V를 만족하면서 최소의 길이를 가질 수 있는 값은 비저항 160에 N-드리프트 길이 430임을 확인할 수 있었다. 또한 5 V의 문턱전압을 유지하기 위해서는 P 베이스 농도는 6.5×1,013 cm-2 의 도우즈량으로 5.3 V의 적정값을 얻을 수 있었다. 최적의 온 상태 전압 강화와 열 특성을 보존하기 위해서는 셀 피치가 24 ㎛ 이상임을 확인할 수 있었다. 이러한 최적 설계와 전기적 특성 분석 아래 도출해낸 3,000 V급 IGBT 소자는 현재 대용량 전력 변환 및 고속철도 스위치로 사용되고 있는 사이리스터 계열을 충분히 대체할 수 있을 것으로 판단된다.
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/ 2000 / MOSFET Basics - Fairchild Semiconductor
H. S. Lee / 2006 / / KIEE : 7 ~
심관필 / 2013 / 80 V급 저전력 반도체 소자의 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 26 (3) : 190 ~ 193
이정훈 / 2012 / Deep Trench Filling 기술을 적용한 600 V급 Super Junction Power MOSFET의 최적화 특성에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25 (4) : 270 ~ 275
홍영성 / 2012 / 600 V급 Super Junction MOSFET을 위한 Field Ring 설계의 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25 (4) : 276 ~ 281
H. S. Lee / 2006 / / KIEE : 7 ~
심관필 / 2013 / 80 V급 저전력 반도체 소자의 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 26 (3) : 190 ~ 193
이정훈 / 2012 / Deep Trench Filling 기술을 적용한 600 V급 Super Junction Power MOSFET의 최적화 특성에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25 (4) : 270 ~ 275
홍영성 / 2012 / 600 V급 Super Junction MOSFET을 위한 Field Ring 설계의 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25 (4) : 276 ~ 281
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