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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제27권 제9호
발행연도
2014.1
수록면
547 - 550 (4page)

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탄소 나노튜브가 첨가된 MOS 캐패시터와 첨가되지 않은 소자들을 제작하여 이들의 전기적인 특성을 측정하였다. 샘플은 n-형 4H-SiC 웨이퍼를 사용하였다. 정전용량-전압 (C-V) 측정으로부터 샘플들의 계면 포획 전하 밀도 (near-interface trap charge density, Nit)와 산화막 포획 전하 밀도 (oxide trap charge density, Nox)가 기준샘플의 값보다 감소된 값을 보여주었다. 전류-전압 (I-V) 특성을 분석한 결과, 탄소 나노튜브가 첨가된 샘플의 누설 전류 (leakage current) 값들이 기준 샘플보다 큰 값을 얻었다. 탄소 나노튜브를 첨가한 MOS 캐패시터는 산화막 품질 측면에서 MOS 소자에 응용 가능할 것으로 판단된다.
#Carbon nanotube #4H-SiC #MOS capacitor

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참고문헌 (7)

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D. K. Schroder / 1982 / Semiconductor Material Device Characterization / John Wiley & Sons : 338 ~ google schola G. Y. Chung / 2011 / / IEEE Electron Devices Lett. 22 : 176 ~ google schola J. H. Moon / 2014 / / Journal of the Korean Physical Society 62 : 1363 ~ google schola P. J. F. Harris / 2004 / / International Materials Reviews 49 : 31 ~ google schola T. Suni / 2002 / / Journal of The Electrochemical Society 149 : G349 ~ google schola

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