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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.1
- 수록면
- 681 - 685 (5page)
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본 실험에서는 BCl3/He 플라즈마에서 TiN 박막의 공정 조건에 따른 식각 속도 변화와 박막 표면의 화학적 변화를 연구하였다.그 결과 BCl3/He=(25%:75%) 일 때 44.2 nm/min으로 가장 높은 식각 속도를 보였으며, 그 이상의 BCl3 가스를 첨가하였을 경우 식각 속도가 감소하는 것을 알 수 있었다. 식각 된 TiN 표면의 화학적 변화를 관찰하기 위하여 XPS 분석을 실시하였다. Ti 2p와 N 1s의 Intensity와 결합에너지가 화학적 반응으로 인해 변화된 것을 알 수 있었으며, Cl 라디칼에 의해 표면의 화학반응이 일어나 식각이 진행 된다는 것을 알 수 있었다.
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