Effect of Process Parameters of UV Enhanced Gas Phase Cleaning on the Removal of PMMA (Polymethylmethacrylate) from a Si Substrate

Sung Ku Kwon; Do Hyun Kim

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자료유형: 학술저널

저자정보: Sung Ku Kwon Do Hyun Kim

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제17권 제4호

발행연도: 2016.1

수록면: 204 - 207 (4page)

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Experimental study of UV-irradiated O2/H2 gas phase cleaning for PMMA (Polymethylmethacrylate) removal is carriedout in a load-locked reactor equipped with a UV lamp and PBN heater. UV enhanced O2/H2 gas phase cleaningremoves polymethylmethacrylate (PMMA) better at lower process pressure with higher content of H2. O2 gas competefor UV (184.9 nm) absorption with PMMA producing O3, O(1D) and lower dissociation of PMMA. In our experimentalconditions, etching reaction of PMMA at the substrate temperature between 75℃ and 125℃ had activation energyof about 5.86 kcal/mol indicating etching was controlled by surface reaction. Above the 180℃, PMMA removal wasgoverned by a supply of reaction gas rather than by substrate temperature.

#UV-O2/H2 #Gas phase cleaning #PMMA #Process parameter #Silicon substrate

참고문헌 (18)

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Tatsuya Yamazaki / 1992 / Investigation of Thermal Removal of Native Oxide from Si (100) Surfaces in Hydrogen for Low-Temperature Si CVD Epitaxy / Journal of The Electrochemical Society 139(4):1175

Takayuki Aoyama / 1993 / Silicon Surface Cleaning Using Photoexcited Fluorine Gas Diluted with Hydrogen / Journal of The Electrochemical Society 140(6):1704

Sung Ku Kwon / 1999 / Silicon epitaxial film growth on silicon substrate exposed to UV-excited NF3/H2 gas for native oxide removal / Journal of Crystal Growth 198-199:1039~1044

M. C. Sun / 2002 / J. Crystal Growth 237-239:1099

권성구 / 2006 / Effect of Process Parameters of UV-Assisted Gas-Phase Cleaning on the Removal of PEG (Polyethyleneglycol) from a Si Substrate / Journal of the Korean Physical Society 49(4):1421~1427

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