Direct Current (DC) Bias Stress Characteristics of a Bottom-Gate Thin-Film Transistor with an Amorphous/Microcrystalline Si Double Layer

Tae Hoon Jeong; 김시준; 김현재

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자료유형: 학술저널

저자정보: Tae Hoon Jeong 김시준 김현재

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제12권 제5호

발행연도: 2011.1

수록면: 197 - 199 (3page)

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In this paper, the bottom-gate thin-film transistors (TFTs) were fabricated with an amorphous/microcrystalline Si double layer (DL) as an active layer and the variations of the electrical characteristics were investigated according to the DC bias stresses. Since the fabrication process of DL TFTs was identical to that of the conventional amorphous Si (a-Si) TFTs, it creates no additional manufacturing cost. Moreover, the amorphous/microcrystalline Si DL could possibly improve stability and mass production efficiency. Although the field effect mobility of the typical DL TFTs is similar to that of a-Si TFTs, the DL TFTs had a higher reliability with respect to the direct current (DC) bias stresses.

#Thin-film transistor #Double layer #Direct current #DC) bias stress #Reliability

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A. V. Gelatos / 1990 / / Appl. Phys. Lett 57 (1197)

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H. Meiling / 1997 / / Appl. Phys. Lett 70 (2681)

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정태훈

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