Dry Etching Properties of HfAlO3 Thin Film with Addition O2 gas Using a High Density Plasma

우종창; 이용봉; 김정호

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자료유형: 학술저널

저자정보: 우종창 이용봉 김정호

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제15권 제3호

발행연도: 2014.1

수록면: 164 - 169 (6page)

이용수

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We investigated the etching characteristics of HfAlO3 thin films in O2/Cl2/Ar and O2/BCl3/Ar gas, using a high-densityplasma (HDP) system. The etch rates of the HfAlO3 thin film obtained were 30.1 nm/min and 36 nm/min in the O2/Cl2/Ar (3:4:16 sccm) and O2/BCl3/Ar (3:4:16 sccm) gas mixtures, respectively. At the same time, the etch rate wasmeasured as a function of the etching parameter, namely as the process pressure. The chemical states on the surfaceof the etched HfAlO3 thin films were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. Auger electron spectroscopywas used for elemental analysis on the surface of the etched HfAlO3 thin films. These surface analyses confirm that thesurface of the etched HfAlO3 thin film is formed with nonvolatile by-product. Also, Cl-O can protect the sidewall dueto additional O2.

#Etch #XPS #AES #HfAlO3 #ICP

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우종창

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이용봉

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김정호

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