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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제14권 제2호
발행연도
2013.1
수록면
90 - 93 (4page)

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Al:ZnO thin films were deposited using the radio frequency magnetron sputtering technique at various temperatures and sputtering powers. With the increase in the deposition temperature and the decrease in the radio frequency sputtering power, the crystallinity was increased and the surface roughness was decreased, which lead to the decrease in the electrical resistivity of the film. It is also clearly observed that, the intensity of the (002) XRD peak increases with increasing the substrate temperature [1,2]. The electrical resistivity and optical transmittance of the Al:ZnO thin film were analyzed as a function of the post-annealing temperature. It can be seen that with the annealing temperature set at 400℃, the resistivity decreases to a minimum value of 4.1×10-3 Ωcm and the transmittance increases to a maximum value of 85% of the Al:ZnO thin film.
#AZO #Al:ZnO) #Thin Film #TCO

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A. V. Singh / 2003 / / 3rde world Conference on photovoltaic Energy Conversion google schola D. J. Kwak / 2008 / Discharge power dependence of structural and electrical properties of Al-doped ZnO conducting film by magnetron sputtering / Vacuum : 1 ~ google schola D. Song / 2002 / / etal Applied Surface Science 195 : 291 ~ google schola D. Song / 2008 / Effects of RF power on surface morphological, structural and electrical properties of aluminium-doped zinc oxide filmsby magnetron sputtering / applied surfa google schola Elias Burstein / 1954 / Anomalous Optical Absorption Limit in InSb / Physical Review 93 (3) : 632 ~ 633 google schola

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