금속 CMP 적용을 위한 산화제의 역할

김상용; 이우선; 서용진

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김상용 이우선 서용진

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제4호

발행연도: 2004.1

수록면: 378 - 383 (6page)

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Tungsten is widely used as a plug for the multi-level interconnection structures. However, due to the poor adhesive properties of tungsten(W) on SiO2 layer, the Ti/TiN barrier layer is usually deposited onto SiO2 for increasing adhesion ability with W film. Generally, for the W-CMP(chemical mechanical polishing) process, the passivation layer on the tungsten surface during CMP plays an important role. In this paper, the effect of oxidant on the polishing selectivity of W/Ti/TiN layer was investigated. The alumina(Al2O3)-based slurry with H2O2 as the oxidizer was used for CMP applications. As an experimental result, for the case of 5 wt% oxidizer added, the removal rates were improved and polishing selectivity of 1.4 : 1 was obtained. It was also found that the CMP characteristics of W and Ti metal layer including surface roughness were strongly dependent on the amounts of H2O2 oxidizer.

#CMP #chemical mechanical polishing) #Oxidizer #Slurry #Selectivity #Removal rate.

참고문헌 (10)

참고문헌 신청

/ 1991. / Chemical mechanical polishing for fabricating pat- terned W metal features as chip inter- connects no. 11 : 3460 ~

/ 1998. / hemical Mechanical Polishing (CMP) 공정을 이용한 Multilevel Metal 구조의 광역 평탄화에 관한 연구 11 (12) : 1084 ~

/ 1999. / Studies on passivation behavior of tungsten in application to chemical mecha- nical polishing 17 (4) : 1168 ~

/ 2000. / Effect of oxide and W-CMP on the material properties and electromigration behaviour of layered aluminum metallisa- tions 50 : 291 ~

/ 2000. / 슬러리와 패드 변화에 따른 텅스텐 플러그 CMP 공정의 최적화 13 (7) : 568 ~

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