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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 793 - 799 (7page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
2006
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In this paper, the gate leakage current is first calculated using the experimental method between gate and drain by opening source electrode. the gate to drain current has been obtained with ground source. The difference between two currents has been tested and proves that the electric field generated by channel charge effect against the image force lowering.
목차
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/ 1976. / Microwave field-effect transisters-1976 mtt-24 (6) : 279 ~
/ 1995. / Enhanced GaAs MSEEFT CAD model for a wide range of temperatures 42 (10) : 1724 ~
/ 1996. / A lightly doped deep drain GaAs MESFET structure for linear amplifiers of personal handy-phone systems 43 (12) : 2062 ~
/ 1999. / DC charateristic of MESFET's at high temperatures 43 (3) : 537 ~
/ 2001. / Schottky barrier depletion modi- fication - A source of output conductance in submicron GaAs MESFETs 48 (5) : 830 ~
/ 1995. / Enhanced GaAs MSEEFT CAD model for a wide range of temperatures 42 (10) : 1724 ~
/ 1996. / A lightly doped deep drain GaAs MESFET structure for linear amplifiers of personal handy-phone systems 43 (12) : 2062 ~
/ 1999. / DC charateristic of MESFET's at high temperatures 43 (3) : 537 ~
/ 2001. / Schottky barrier depletion modi- fication - A source of output conductance in submicron GaAs MESFETs 48 (5) : 830 ~
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