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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제7호
발행연도
2016.1
수록면
394 - 399 (6page)

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실리콘다이옥사이드(silicon dioxide, SiO2)는 산소 또는 N2O가스 같은 다양한 산화성 가스로 증착되었다. 본 실험에서는 저온에서 증착되는 SiO2의 전기적 특성 및 계면포획밀도(interface state density, Dit)를 향상시키기 위해 SiH4과 CO2가스를 사용하여 유도결합플라즈마 화학기상증착(inductively coupled plasma chemical vapor deposition, ICP-VCD)로 SiO2를 증착하였다. CO2와 N2O가스를 이용한 SiO2 박막의 Dit는 각각 1.30 × 1,010 cm-2·eV-1, 3.31 × 1,010 cm-2·eV-1를 보였다. 이는 CO2가스를 사용한 SiO2박막의 Dit가 N2O가스를 이용한 것에 비해 2.55배 낮음을 나타낸다. SiO2(CO2)박막을 터널층을 사용한 금속/절연체/반도체(MIS) 구조의 비휘발성메모리(nonvolatile memory, NVM)는 +16/-19 V의 스트레스전압에서 2.16 V의 윈도우 메모리를 보였지만 SiO2(N2O)박막을 터널층으로 사용한 MIS 구조의 소자는 +20/-24 V의 높은 인가전압에서 2.48 V의 윈도우 메모리를 보였다. 그러므로 SiO2(CO2)박막을 NVM의 터널층으로 사용하면 Dit를 감소시켜 저전압메모리를 구현할 수 있다.
#CO2 #NVM #ONO structure #Tunnel oxide #Tunneling

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W. Pribyl / 2015 / Solid State Device Research Conference 2015 45th European :109 google schola M. A. Beunder / 2005 / Non-Volatile Memory Technology Symposium :65 google schola C. H. Cheng / 2011 / Adv. Mater 23:902 Crossref H. C Card / 1976 / Solid-State Electronics 19:863 Crossref Y. C. King / 1999 / IEEE Electron Devices Lett 20:409 Crossref

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